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申请/专利权人：住友电气工业株式会社
申请日：2019-09-26
公开（公告）日：2024-09-10
公开（公告）号：CN110970411B
专利技术分类：.包含在H01L27/00至H01L33/00，或H10K,H10N等各组中两个或多个不同大组内的类型的器件，例如构成混合电路的[2023.01]
专利摘要：本发明涉及一种半导体器件以及制造半导体器件的方法，该半导体器件包括：半导体层，其形成在基板上；第一树脂层，其形成在半导体层上；第二树脂层，其形成在第一树脂层上；第一布线层，其形成在半导体层上，并且被掩埋在第二树脂层中；第二布线层，其形成在第二树脂层和第一布线层上，并且与第一布线层电连接；以及第一无机绝缘膜，其覆盖第二树脂层和第二布线层，其中，第一布线层的面积大于第二布线层的面积。
专利权项：1.一种半导体器件，包括：半导体层，其形成在基板上；第一树脂层，其形成在所述半导体层上；第二树脂层，其形成在所述第一树脂层上；第一布线层，其形成在所述半导体层上，并且被掩埋在所述第二树脂层中；第二布线层，其形成在所述第二树脂层和所述第一布线层上，并且与所述第一布线层电连接；以及第一无机绝缘膜，其覆盖所述第二树脂层和所述第二布线层，其中，所述第一布线层和所述第二布线层形成焊盘，并且在所述焊盘中，所述第一布线层的面积大于所述第二布线层的面积。
百度查询： 住友电气工业株式会社 半导体器件以及制造半导体器件的方法
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