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申请/专利权人：西安思微传感科技有限公司
摘要：本发明涉及MEMS传感器技术领域，且公开了一种高灵敏度低非线性压力传感器及制备方法，包括由下至上依次排列的衬底硅层、二氧化硅绝缘层、器件层和氮化硅钝化层，所述器件层上设有四组压敏电阻，并分别设置在应力杯四边的中点正上方位置，所述器件层上设有导带，四组所述压敏电阻通过所述导带与电极连接形成惠斯通电桥；在敏感膜中心由若干个凸台组成的一个倒金字塔结构的台体，此种压力传感器结构解决了提高灵敏度和降低非线性这一对矛盾，且此种结构相对E型杯结构，降低了应力集中现象。使用新结构后的压力传感器与传统结构压力传感器相比，同样灵敏度情况下，最大变形减少20％‑30％，可显著降低传感器的非线性。
主权项：1.一种高灵敏度低非线性压力传感器，其特征在于：包括由下至上依次排列的衬底硅层（1）、二氧化硅绝缘层（2）、器件层（3）和氮化硅钝化层（4），所述器件层（3）上设有四组压敏电阻（5），并分别设置在应力杯（6）四边的中点正上方位置，所述器件层（3）上设有导带（10），四组所述压敏电阻（5）通过所述导带（10）与电极（11）连接形成惠斯通电桥，四组所述压敏电阻（5）及所述导带（10）周围沉积有二氧化硅；所述应力杯（6）的上表面设有敏感膜（9），所述敏感膜（9）的下表面有若干个凸台（8）组成的一个倒金字塔结构的台体（7）。
全文数据：
权利要求：
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