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申请/专利权人:三星电子株式会社
摘要:公开存储装置、存储装置的操作方法以及主机装置的操作方法,所述存储装置包括写入增强器缓冲器和正常存储设备。所述操作方法包括:将从主机装置接收的第一写入数据写入写入增强器缓冲器中;以及基于所述存储装置的装置温度,选择性地对写入增强器缓冲器执行刷写操作,在刷写操作中,存储在写入增强器缓冲器中的第一写入数据被刷写到正常存储设备。包括在写入增强器缓冲器中的存储器单元中的每个被配置为存储“n”个位n是正整数,并且包括在正常存储设备中的存储器单元中的每个被配置为存储“m”个位m是大于n的正整数。
主权项:1.一种存储装置的操作方法,所述存储装置包括写入增强器缓冲器和正常存储设备,所述操作方法包括:将从主机装置接收的第一写入数据写入写入增强器缓冲器中;以及基于所述存储装置的装置温度,选择性地对写入增强器缓冲器执行刷写操作,在刷写操作中,存储在写入增强器缓冲器中的第一写入数据被刷写到正常存储设备,其中,包括在写入增强器缓冲器中的存储器单元中的每个被配置为存储“n”个位,“n”是正整数,并且其中,包括在正常存储设备中的存储器单元中的每个被配置为存储“m”个位,“m”是大于“n”的正整数。
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百度查询: 三星电子株式会社 存储装置、存储装置的操作方法以及主机装置的操作方法
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