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申请/专利权人：电子科技大学(深圳)高等研究院

摘要：该发明公开了一种具有上电启动快速响应通道的LDO电路结构，属于电路结构领域。本发明使用具有快速响应通道误差放大器的LDO，解决现有技术中芯片内部LDO电路启动过慢的问题。与现有技术相比，本发明提出的改进误差放大器电路结构实现简单，不需要额外控制信号与启动模块，节省芯片面积，降低芯片成本，可以有效加快LDO上电启动速度。

主权项：1.一种具有上电启动快速响应通道的LDO电路结构，其特征在于，包括基准电路、误差放大器、功率管Mp、反馈网络、辅助电路；基准电路包括：基准电流电路、基准电压电路；所述基准电流电路、基准电压电路、误差放大器、辅助电路、功率管Mp的源极连接电压VDD，基准电流电路、基准电压电路的输出端分别输出IREF和VREF连接误差放大器，误差放大器的VFB端连接反馈网络，辅助电路的输入端连接反馈网络的输出端，误差放大器、辅助电路的输出端连接功率管Mp的栅极，反馈网络的输出端连接功率管的漏极并作为该稳压器的输出；所述误差放大器电路，包括七个PMOS管：第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第七PMOS管Mp；五个NMOS管：第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5；第一电阻R1、第二电阻R2；其中：第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第五PMOS管MP5、第七PMOS管Mp的源极与VDD相接；第一PMOS管MP1栅极和漏极、第一NMOS管MN1漏极相接；第二PMOS管MP2栅极和漏极、第二NMOS管MN2漏极、第三PMOS管MP3栅极、第五PMOS管MP5栅极相接；第三PMOS管MP3漏极、第四PMOS管MP4源极、第六PMOS管MP6栅极相接；第四PMOS管MP4栅极、第一NMOS管MN1栅极相接于VREF；第四PMOS管MP4漏极、第五NMOS管MN5漏极相接；第五PMOS管MP5漏极、第六PMOS管MP6源极、第七PMOS管Mp栅极相接；第六PMOS管MP6漏极、第五NMOS管MN5、第四NMOS管MN4、第三NMOS管MN3源极、第二电阻R2的一端与GND相接；第一NMOS管MN1源极、第二NMOS管MN2源极、第四NMOS管MN4漏极相接；第二NMOS管MN2栅极、第二电阻R2的另一端、第一电阻R1的一端相接于反馈电压VFB；第三NMOS管MN3、第四NMOS管MN4、第五NMOS管MN5栅极相接；第三NMOS管MN3漏极与IREF相接；第七PMOS管Mp漏极、第一电阻R1的另一端相接于输出电压VOUT；所述反馈网络包括：第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻RESR、第六电阻RL、第一电容COUT,所述第三电阻R3、第五电阻RESR、第六电阻RL的一端共接作为反馈网络的输出端，并作为整个LDO电路结构的输出；所述第三电阻R3的另一端和第四电阻R4的一端连接误差放大器的VFB；第五电阻RESR的另一端连接第一电容COUT的一端；第四电阻R4的另一端、第一电容COUT的另一端、第六电阻RL的另一端接地GND。

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