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申请/专利权人：深圳吉华微特电子有限公司
摘要：本发明公开了一种大功率半桥SIC模块及制造方法，该大功率半桥SIC模块包括：连接于覆铜陶瓷基板上的多个SICMOSFET芯片、多个SICSBD芯片和多个栅极电阻，覆铜陶瓷基板与多个SICMOSFET芯片的漏级和多个SICSBD芯片的阴极连接，每一个SICMOSFET芯片的源极分别与一SICSBD芯片的阳极连接，每一个SICMOSFET芯片的栅极与一栅极电阻串联连接。通过发明提供的SIC模块，将SICMOSFET芯片与SICSBD芯片反并联连接，可在实现逆变作用的同时，避免双极退化效应，其中，SIC功率元器件具有更高的耐压、更低的导通电阻、可在更高频率下工作、可在更高温结温下工作的优点，损耗可以降低20％以上，最高工作结温提高16％以上；且SICMOSFET芯片栅极前端串联连接栅极电阻，解决了芯片并联开关一致性的问题。
主权项：1.一种大功率半桥SIC模块，其特征在于，包括：连接于覆铜陶瓷基板上的多个SICMOSFET芯片、多个SICSBD芯片和多个栅极电阻，任一所述SICMOSFET芯片包括源极、栅极和漏级，任一所述SICSBD芯片包括阳极和阴极，所述覆铜陶瓷基板与多个所述SICMOSFET芯片的漏级和多个所述SICSBD芯片的阴极连接，每一个所述SICMOSFET芯片的源极分别与一所述SICSBD芯片的阳极连接，栅极与一所述栅极电阻串联连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 深圳吉华微特电子有限公司 一种大功率半桥SIC模块及制造方法
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