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申请/专利权人：南京航空航天大学
摘要：本发明公开了一种应用于SiCMOSFET结温预测的高精度漏源电压检测电路，该电路包括考虑寄生参数的SiCMOSFET等效电路，在SiCMOSFET的漏源极连接高精度漏源电压检测电路。在SiCMOSFET的关断期间，使用漏源电压钳位电路将这种高关断状态电压钳位到较低的值以保证对通态电压的精确测量。考虑了SiCMOSFET寄生参数的影响，通过反向并联快恢复二极管来抑制开通瞬间漏源电压峰值，并通过使用三端可调稳压器与电阻器串联形成电流源，在第一电流固定的条件下，通过调整第二电流来确保相同的两个二极管两端电压相等，提高测量精度。有效解决SiCMOSFET传统漏源电压检测电路误差大精度不高以及开通关断过程中出现的电压尖峰等问题。
主权项：1.一种应用于SiCMOSFET结温预测的高精度漏源电压检测电路，连接于SiCMOSFET的漏源极，其特征在于，包括SiCMOSFET漏源极的寄生电感LDint与LSint，电流源I1、I2，运算放大器OP1、OP2、OP3，钳位分支，高压二极管D1、D2与快恢复二极管D0；SiCMOSFET的漏极连接D1的负极，D1的正极连接钳位分支的正极与快恢复二极管D0的负极，同时与OP1的正极相连；D2的正极连接第二运算放大器OP2的正极，D2的负极连接第三运算放大器OP3，OP1输出端通过电阻R1、R2与OP2输出端连接并输出该电路漏源电压检测值V3；OP3为电压跟随器，连接于D1、D2之间，隔离前后级电路电流，电流源I1、I2分别提供前后级电路电流，快恢复二极管D0反向并联于OP3的同相输入，与第一高压二极管D1的正极连接，当出现反向超调电压时，二极管D0提供低阻抗分支。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京航空航天大学 一种应用于SiC MOSFET结温预测的高精度漏源电压检测电路
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