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申请/专利权人：北京微电子技术研究所;北京时代民芯科技有限公司

摘要：一种应用于DC‑DC的高可靠多模式软启动电路，包含两种软启动模式，可实现外部电容控制软启动和内部固定时间软启动两种模式。相比传统的软启动技术，具有更高的可靠性和灵活性。高可靠性体现在当外部电容虚焊或损坏后，电路启动将采用内部软启动模式，不会出现电压过冲烧毁电路的风险。高灵活性体现在用户可根据需求，选择采用其中一种模式，外部软启动模式会实现更缓慢的DCDC输出电压启动，内部软启动模式无需外部电容，利于集成化、小型化，且可以保证输出电压按照一定斜率上升。

主权项：1.一种应用于DC-DC的高可靠多模式软启动电路，其特征在于，包括充电电流产生电路、内部充电电路、比较器COMP1、MOS开关管和逻辑电路；充电电流产生电路在电源电压作用下，得到一个与温度和电源电压无关的充电电流；内部充电电路接收来自DCDC芯片的偏置电流，产生固定斜坡的输出电压，此电压控制开关管N1的导通，并实现与开关管N1的源端保持固定的阈值电压差值；带滞回的比较器COMP1通过比较DCDC芯片的SS端电压和固定的参考电压，当SS端电压大于内部参考电压，比较器翻转，输出逻辑信号表示软启动结束，整个软启动电流的输出VOUT切换至内部参考电压模式；滞回电压是外部参考电压VREFH和外部参考电压VREFL的差值；MOS开关管包括开关管N1、开关管N2、开关管N3、开关管N4、开关管N5，开关管N1的栅端连接内部充电电路的输出S1，开关管N1的漏端接SS端，开关管N1的源端接开关管N2的源端和比较器COMP1的同相端，开关管N2栅端连接逻辑电路的与非门M13的输出和开关管N4的栅端，开关管N2的漏端接开关管N3的源端和整个软启动电流的输出VOUT，开关管N3的栅端接逻辑电路的反相器M14的输出EN和开关管N5的栅端，开关管N3的漏端连接开关管N4管的漏端、比较器COMP1的反向端和开关管N5的漏端，开关管N4的源端接外部参考电压VREFH，开关管N5的源端接外部参考电压VREFL；逻辑电路包括与非门M13、反相器M14、反相器M15，比较器COMP1的输出信号和复位信号RN经过与非门M13运算输出ENN信号，ENN再经过反相器M14输出EN信号，RN经过反相器M15输出RNN信号，其中EN和ENN信号为输出路径上的开关管N2至N5控制信号，软启动阶段RN信号为高电平。

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