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基于TGV工艺的扇出型封装结构 

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申请/专利权人:宁波泰睿思微电子有限公司

摘要:本实用新型公开了一种基于TGV工艺的扇出型封装结构,包括玻璃转接板、TGV电连接结构、主板、封装体和芯片;芯片贴装在玻璃转接板的一个面上,并通过封装体封装;TGV电连接结构贯穿设置在玻璃转接板内,且TGV电连接结构的一端与芯片电性连接,TGV电连接结构的另一端通过焊球与主板电性连接,使玻璃转接板贴装至主板上。本实用新型涉及集成电路封装技术领域,能够解决现有技术中硅基转接板信号完整度差、制作难度大、成本高的问题。

主权项:1.一种基于TGV工艺的扇出型封装结构,其特征是:包括玻璃转接板1、TGV电连接结构、主板2、封装体3和芯片4;芯片4贴装在玻璃转接板1的一个面上,并通过封装体3封装;TGV电连接结构贯穿设置在玻璃转接板1内,且TGV电连接结构的一端与芯片4电性连接,TGV电连接结构的另一端通过焊球5与主板2电性连接,使玻璃转接板1贴装至主板2上;所述的玻璃转接板1上间隔形成有若干个通孔101,每个通孔101沿玻璃转接板1的厚度方向贯穿玻璃转接板1,TGV电连接结构通过通孔101贯穿安装在玻璃转接板1上,并电性连接在焊球5和芯片4之间;所述的TGV电连接结构包括填孔金属件601和布线层602;填孔金属件601填充满若干个通孔101,使填孔金属件601的一端与芯片4电性连接;布线层602的一个面铺设在玻璃转接板1远离芯片4的面上,并与填孔金属件601的另一端电性连接,布线层602的另一个面通过焊球5与主板2电性连接;所述的填孔金属件601包括填充部6011和抛光层6012;若干个填充部6011与抛光层6012一体成型,若干个填充部6011分别匹配填充在若干个通孔101内;抛光层6012贴合在玻璃转接板1远离芯片4的面上。

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