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申请/专利权人：南京航空航天大学
摘要：本发明公开了一种晶圆级铁磁金属有机薄膜及其制备方法，属于碳金属有机薄膜制备领域，所述方法包括如下步骤：利用低压化学气相沉积（LPCVD）方法，以金属酞菁作为分子前驱体，铜箔作为生长基底，在氢氩混合气氛围中进行加热反应，生长完成后快速降温；制备得到的单层金属有机薄膜展现出较强的面内铁磁性，且具备一定的机械性能，可以不采用高分子保护膜进行直接转移，通过湿法转移刻蚀铜箔，将生长的铁磁金属有机薄膜转移至任意需要的基底。本发明首次提出了自下而上的一步法合成晶圆尺寸空气稳定的铁磁金属有机薄膜的方法，该铁磁金属有机薄膜的可控制备与转移工艺在电磁输运应用等方向具有重要意义。
主权项：1.一种晶圆级铁磁金属有机薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1对生长基底进行表面处理去除氧化层；2通入氢氩混合气，控制压力；3将基底所在下温区升温进行退火处理后降温准备生长；4将前驱体所在上温区缓慢升温至360-400℃；当上温区到达指定温度后开始生长，生长结束后快速降至室温，形成完全覆盖的金属有机薄膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京航空航天大学 一种晶圆级铁磁金属有机薄膜及其制备方法
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