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申请/专利权人：中国人民解放军国防科技大学
摘要：本发明公开了一种用于反应刻蚀的磁芯聚集增强射频离子源，包括安装法兰，所述安装法兰一侧安装有离子源模块、另一侧安装有水冷板，所述水冷板外部安装有下屏蔽壳，所述离子源模块包括放电室和分别依次布置于放电室外侧的射频线圈、静磁铁和铁芯，所述放电室靠安装法兰的一侧设有气体分配器、另一侧安装有加速栅极离子光学系统，所述铁芯和加速栅极离子光学系统的外部设有上屏蔽罩，且所述上屏蔽罩上位于放电室和加速栅极离子光学系统的离子源出口处设有开口。本发明旨在克服现有射频离子源电负性气体适应性差、难以点火并维持等离子体、需要高射频功率实现电离的缺点，提升工艺气体适应性，提高气体电离率，实现离子源长时间稳定刻蚀应用。
主权项：1.一种用于反应刻蚀的磁芯聚集增强射频离子源，其特征在于，包括安装法兰（4），所述安装法兰（4）一侧安装有离子源模块、另一侧安装有水冷板（3），所述水冷板（3）外部安装有下屏蔽壳（2），所述离子源模块包括放电室（9）和分别依次布置于放电室（9）外侧的射频线圈（8）、静磁铁（7）和铁芯（6），所述放电室（9）靠安装法兰（4）的一侧设有气体分配器（5）、另一侧安装有加速栅极离子光学系统（10），所述铁芯（6）和加速栅极离子光学系统（10）的外部设有上屏蔽罩（11），且所述上屏蔽罩（11）上位于放电室（9）和加速栅极离子光学系统（10）的离子源出口处设有开口。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国人民解放军国防科技大学 一种用于反应刻蚀的磁芯聚集增强射频离子源
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