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申请/专利权人：杭州电子科技大学
摘要：本发明属于微机电系统技术领域，具体涉及基于SOI的硅纳米线压阻式三维力传感器及其制备工艺。传感器基于SOI硅片；SOI硅片中顶层硅包括受力体以及设于受力体四周且均匀分布的硅纳米线；受力体四个角处采用U型结构作为支撑梁；顶层硅上设有与体硅电连接的正电极和负电极。本发明的新型力传感器，由U型结构支撑梁和硅纳米线共同支撑受力体，采用具有巨压阻效应的单晶硅纳米线代替传统的使用压敏电阻的压阻式力传感器，能实现三维力的解耦以及更加敏锐地感知外界施加的力，实现对微小压力变化的高度响应。本发明具有稳定性高、可靠性高，且能够在小型化设备中实现高灵敏度力测量的特点。
主权项：1.基于SOI的硅纳米线压阻式三维力传感器，其特征在于，包括：SOI硅片；SOI硅片包括位于底层的体硅、设于体硅上方的埋氧层以及设于埋氧层上方的顶层硅；所述顶层硅包括受力体以及设于受力体四周且均匀分布的硅纳米线；所述顶层硅上设有与体硅电连接的正电极和负电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州电子科技大学 基于SOI的硅纳米线压阻式三维力传感器及其制备工艺
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