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申请/专利权人：重庆邮电大学
摘要：本发明请求保护一种无三极管的低压带隙基准源电路，属于集成电路技术领域，包括电压预调整电路、带隙基准核心电路、偏置电路及曲率补偿电路。本发明利用耗尽型MOS管抑制电压预调整电路进入简并态并为其它功能模块提供工作电源电压，提高电路抑制电源噪声的能力，利用高阈值与中阈值NMOS管的阈值电压具有不同温度特性实现一阶带隙基准参考电压，利用NMOS管M25和M29的不同栅源电压产生的电流在曲率补偿电路的电阻R6上产生随温度升高而增加的压降，进而PMOS管M34产生温度分段的曲率补偿电流在电阻R4上产生温度高阶补偿电压，实现对一阶带隙基准参考电压进行温度补偿，从而获得高阶温度补偿的带隙基准参考电压。
主权项：1.一种无三极管的低压带隙基准源电路，其特征在于，包括：电压预调整电路1、带隙基准核心电路2、偏置电路3及曲率补偿电路4，其中，所述电压预调整电路1的信号输出端分别连接所述带隙基准核心电路2的信号输入端、偏置电路3的信号输入端以及曲率补偿电路4的信号输入端，所述偏置电路3的信号输出端分别连接所述带隙基准核心电路2的信号输入端以及所述曲率补偿电路4的信号输入端，所述曲率补偿电路4的信号输出端连接所述带隙基准核心电路2的信号输入端；所述电压预调整电路1通过耗尽型MOS管M2为所述带隙基准核心电路2、所述偏置电路3以及所述曲率补偿电路4提供工作电源，所述偏置电路3通过PMOS管M21为带隙基准核心电路2提供偏置信号，所述偏置电路3通过PMOS管M30和M31为所述曲率补偿电路4提供偏置信号，所述带隙基准核心电路2利用高阈值和中阈值MOS管的阈值电压具有不同温度特性产生的信号在电阻R3和电阻R4上产生一阶带隙基准电压，所述曲率补偿电路4通过PMOS管M34为一阶带隙基准电压提供一温度补偿的信号从而在电路输出端VREF产生低温漂的输出电压。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 重庆邮电大学 一种无三极管的低压带隙基准源电路
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