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申请/专利权人：湖南大学
摘要：本发明公开了一种IGBT芯片多元胞电热耦合仿真方法及系统，以单元胞电热耦合模型原理为基础，通过将IGBT芯片进行详细分区，基于IGBT结构在电热耦合下的特殊性对IGBT芯片逐层进行分区，通过将多种分区复合并应用于电热耦合模型得到大规模IGBT芯片电热耦合模型，通过多元胞电热耦合模型实现了在外部电压电流连续变化情况下对IGBT芯片实现电热耦合仿真，相较于有限元方法，本发明可以更快得到大面积芯片表面温度随时间变化的详细分布以及芯片内部电流随时间的变化的详细情况，准确仿真芯片电热耦合特性。
主权项：1.一种IGBT芯片多元胞电热耦合仿真方法，其特征在于，包括以下步骤：S1、建立IGBT芯片单元胞电热耦合模型；S2、根据IGBT芯片结构特点，针对IGBT的芯片层和封装部分分别进行分区，并对芯片层和封装部分分区分别进行简化；将最终简化分区结果中封装部分每一个分区及该分区上方所有的芯片分区视为一个元胞，并使用所述IGBT单元胞电热耦合模型对元胞的电热行为进行仿真，获得IGBT芯片多元胞电热耦合模型；S3、使用IGBT芯片多元胞电热耦合模型进行仿真，通过功率损耗发热与散热计算IGBT芯片整体温度分布变化，依据IGBT芯片整体温度分布计算IGBT芯片层中不同位置的相关温度敏感参数变化，获取IGBT芯片表面温度详细分布和内部电流详细分布；S4、重复步骤S3，得到不同时刻的IGBT芯片表面温度及内部电流详细分布结果。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南大学 IGBT芯片多元胞电热耦合仿真方法及系统
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