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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：提供了半导体器件及其形成方法。示例性方法包括提供工件，工件包括：位于该工件的第一区域中的第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件；位于该工件的第二区域中的第三伪栅极堆叠件和第四伪栅极堆叠件；位于第一伪栅极堆叠件、第二伪栅极堆叠件、第三伪栅极堆叠件和第四伪栅极堆叠件中的每一个的上方的硬掩模层。方法还包括：在工件上方沉积光刻胶PR层，以在第一区域上方形成第一PR层部分，并且在第二区域上方形成第二PR层部分；以及选择性地在第三伪栅极堆叠件上方形成穿过第二PR层部分的第一开口，并且在第四伪栅极堆叠件上方形成穿过第二PR层部分的第二开口。
主权项：1.一种形成半导体器件的方法，包括：提供工件，包含：第一伪栅极堆叠件和第二伪栅极堆叠件，设置在所述工件的第一区域中，第一源极漏极部件，设置在所述第一伪栅极堆叠件与所述第二伪栅极堆叠件之间，第三伪栅极堆叠件和第四伪栅极堆叠件，设置在所述工件的第二区域中，第二源极漏极部件，设置在所述第三伪栅极堆叠件与所述第四伪栅极堆叠件之间，硬掩模层，设置在所述第一伪栅极堆叠件、所述第二伪栅极堆叠件、所述第三伪栅极堆叠件和所述第四伪栅极堆叠件中的每一个的上方；在所述工件上方沉积光刻胶层，以在所述第一区域上方形成第一光刻胶层部分，并且在所述第二区域上方形成第二光刻胶层部分；以及选择性地在所述第三伪栅极堆叠件上方形成穿过所述第二光刻胶层部分的第一开口，并且在所述第四伪栅极堆叠件上方形成穿过所述第二光刻胶层部分的第二开口，其中，所述第一伪栅极堆叠件、所述第二伪栅极堆叠件、所述第三伪栅极堆叠件和所述第四伪栅极堆叠件包括多晶硅，所述第三伪栅极堆叠件的栅极长度大于所述第一伪栅极堆叠件的栅极长度，其中，所述第一光刻胶层部分包含第一厚度，且所述第二光刻胶层部分包含大于所述第一厚度的第二厚度。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体器件及其形成方法
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