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申请/专利权人：湖南博望碳陶有限公司
摘要：本发明提供了一种耐高温陶瓷的制备方法和耐高温陶瓷。该制备方法包括以下步骤：S1：用SiC陶瓷前驱体对基体进行PIP工艺处理；S2：将SiC浆料涂覆于步骤S1处理后的基体表面，在保护性气氛中进行第一次烧结；S3：将步骤S2处理后的基体包埋于SiC粉料中，在保护性气氛中进行第二次烧结，得到所述的耐高温陶瓷。该方法操作简单，成本低，在烧制过程中陶瓷涂层耐温性好，不会出现粉化等现象。本发明还提供了由上述制备方法制得的耐高温陶瓷。
主权项：1.一种耐高温陶瓷的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：用SiC陶瓷前驱体对基体进行PIP工艺处理；S2：将SiC浆料涂覆于步骤S1处理后的基体表面，在保护性气氛中进行第一次烧结；S3：将步骤S2处理后的基体包埋于SiC粉料中，在保护性气氛中进行第二次烧结，得到所述的耐高温陶瓷；所述SiC陶瓷前驱体选自聚甲基硅烷和聚碳硅烷中的至少一种；所述基体选自石墨基体、碳碳基体和陶瓷基体中的一种；以质量百分比计，所述SiC浆料包括：聚甲基硅烷：30wt％～40wt％，甲苯：10wt％～20wt％，碳化硅粉：30wt％～50wt％；所述第一次烧结的温度为850℃～950℃；所述第二次烧结的温度为1900℃～2100℃；步骤S3中，将所述基体包埋于碳化硅粉料中烧结，在第二次烧结过程中，SiC发生蒸发现象，使基体置于SiC的蒸汽氛围中，所述基体外的SiC蒸汽浓度高于基体内浓度，使得SiC蒸汽向基体内部扩散，扩散的SiC蒸汽会沉积在基体内的碳化硅上，达到填充孔洞的目的；所述PIP工艺处理的次数为2～3个周期；所述PIP工艺处理的温度为850℃～950℃。
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权利要求：
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