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申请/专利权人：恒宝股份有限公司
摘要：本发明公开一种FLASH芯片存储区及其高性能防掉电读写方法。所述FLASH芯片存储区包括第一数据区、第二数据区和擦写操作记录区；第一数据区用于存储用户数据，第二数据区用于存储被擦写页面的新数据，擦写操作记录区记录擦写FLASH页面擦写的记录，按页面擦写，轮换使用，不需要备份，并要求当前写入的擦写记录页面不能与在此之前写入的擦写记录页面相同；每个擦写记录单元在第二数据区或者第一数据区对应一个页面。采用本申请技术方案实现一种高效擦写防护机制，既能保护原有页面数据，也能高效写入新的数据。
主权项：1.一种FLASH芯片存储区，其特征在于，包括第一数据区、第二数据区和擦写操作记录区；第一数据区用于存储用户数据，第二数据区用于存储被擦写页面的新数据，擦写操作记录区记录擦写FLASH页面擦写的记录，按页面擦写，轮换使用，不需要备份，并要求当前写入的擦写记录页面不能与在此之前写入的擦写记录页面相同；每个擦写记录单元在第二数据区或者第一数据区对应一个页面；擦写操作记录区分配至少两个擦写记录页面，分别为有效记录页面和无效记录页面；擦除记录页面是以2个字节为单元的记录组成；首个两字节为记录信息，最后两个字节为所有有效记录的校验核，中间所有字节为擦写记录单元；每个擦写记录单元在第二数据区或者第一数据区对应一个页面；在每个擦写记录单元中记录备份数据可用页面标识，根据备份数据可用页面标识的值确定页面属于第一数据区或第二数据区；在擦写一个页面时，根据擦写操作记录区中擦写记录页面中的内容确定一个属于第一数据区或第二数据区的页面，然后将新的数据写入该页面；如果要擦写多个页面，则根据擦写记录页面中的内容确定多个页面，然后将新数据写入每个页面，并在完成擦写事务时将擦写记录写入擦写记录页面中。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 恒宝股份有限公司 一种FLASH芯片存储区及其高性能防掉电读写方法
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