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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：一种多泄放通路的ESD保护器件，包括P衬底，P衬底上表面的凹槽内掺杂有N型的杂质，形成深N阱区，深N阱区与P衬底连接处的上方设置有环形的N阱区，N阱区上方设置有STI浅槽隔离，N阱区内部掺杂有P型的杂质，形成P阱区，在P阱区的内部设置有第一N+注入区，第一N+注入区内部设置有第二N+注入区，第二N+注入区内部设置有P+注入区；所述的第一N+注入区通过第二金属线连接至阴极，第二N+注入区以及P+注入区通过第一金属线连接至器件阳极；当保护器件受到ESD冲击时，形成的二极管通路开启，NPN三极管通路开启，PNPN的SCR通路开启，使多泄放通路开启，以泄放电流；具有触发电压较低、结构简单、在CMOS工艺下即可实现，成本较低、鲁棒性显著提升的特点。
主权项：1.一种多泄放通路的ESD保护器件，其特征在于，包括P衬底10，P衬底10上表面的凹槽内掺杂有N型的杂质，形成深N阱区11，深N阱区11与P衬底10连接处的上方设置有环形的N阱区12，N阱区12上方设置有STI浅槽隔离19，N阱区12内部掺杂有P型的杂质，形成P阱区13，在P阱区13的内部设置有第一N+注入区14，第一N+注入区14内部设置有第二N+注入区15，第二N+注入区15内部设置有P+注入区16；所述的第一N+注入区14通过第二金属线18连接至阴极，第二N+注入区15以及P+注入区16通过第一金属线17连接至器件阳极；所述的N阱区12为一个环形，N阱区12的电位浮空，不向外接电位；所述的P阱区13在N阱区12中构成一个环形，所述第一N+注入区14在P阱区13内构成一个环形，所述第二N+注入区15在P阱区13内构成一个环形。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 一种多泄放通路的ESD保护器件
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