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申请/专利权人：电子科技大学;中国航天科工集团八五一一研究所

摘要：本发明提供一种自适应偏置的抗辐照射频SOI功放的电路，属于射频集成电路领域，包括抗辐照自适应偏置电路和四堆叠功放。抗辐照自适应偏置电路的包括辐照检测电路与偏置产生电路，四堆叠功放的包括四堆叠晶体管、外部栅极电容、偏置电阻以及射频扼流电感。由于总剂量辐照效应，当辐照照射时，晶体管的性能会下降，功放的性能也因此下降，本发明通过在传统四堆叠功放中添加抗辐照的自适应偏置网络，在辐照情况下自适应地调整四堆叠功放的偏置，能够明显提高功放的抗辐照性能。在10GHz的工作频率处，本发明相比于传统的四堆叠功放，其增益、功率附加效率和饱和输出功率在300krad的辐照环境下均有明显的改善。

主权项：1.一种自适应偏置的抗辐照射频SOI功放，其特征在于：包括抗辐照自适应偏置电路和四堆叠功放；抗辐照自适应偏置电路包括辐照检测电路和偏置产生电路，四堆叠功放的包括四堆叠晶体管、外部栅极电容、偏置电阻以及射频扼流电感；辐照检测电路与偏置产生电路连接，辐照信号经由辐照检测电路检测并放大后，再通过偏置产生电路产生偏置电压；偏置产生电路与偏置电阻连接，为四堆叠晶体管提供栅极直流偏置；四堆叠晶体管的栅极分别与外部栅极电容和偏置电阻连接，四堆叠晶体管的漏极与射频扼流电感连接；辐照检测电路包括第五晶体管M5、第六晶体管M6、第七晶体管M7、第八晶体管M8、第九晶体管M9、第十晶体管M10、第七电阻R7、第八电阻R8、第九电阻R9；偏置产生电路包括第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6；第五晶体管M5的源极接第六晶体管M6的漏极，第五晶体管M5的栅极与第五晶体管M5的漏极一同连接至电源；第六晶体管M6的源极通过第九电阻R9接地，同时第六晶体管M6的源极与第八晶体管M8的栅极、第十晶体管M10的栅极连接，第六晶体管M6的漏极连接到第六晶体管M6的栅极，第六晶体管M6的栅极与第七晶体管M7的栅极、第九晶体管M9的栅极连接；第七晶体管M7的源极接第八晶体管M8的漏极，第七晶体管M7的漏极通过第八电阻R8连接至电源，同时第七晶体管M7的漏极与第五电阻R5的下端连接，第七晶体管M7的栅极与第六晶体管M6的栅极、第九晶体管M9的栅极连接；第八晶体管M8的源极接地，第八晶体管M8的漏极接第七晶体管M7的源极，第八晶体管M8的栅极与第六晶体管M6的源极、第十晶体管M10的栅极、第九电阻R9的上端连接；第九晶体管M9的源极接第十晶体管M10的漏极，第九晶体管M9的漏极通过第七电阻R7连接至电源，同时第九晶体管M9的漏极与第六电阻R6的上端连接，第九晶体管M9的栅极与第六晶体管M6的栅极、第七晶体管M7的栅极连接；第十晶体管M10的源极接地，第十晶体管M10的漏极接第九晶体管M9的源极，第十晶体管M10的栅极与第六晶体管M6的源极、第八晶体管M8的栅极、第九电阻R9的上端连接；第一电阻R1上端与第五电阻R5上端相连，产生第一偏置电压Vb1；第二电阻R2上端与第一电阻R1下端相连，产生第二偏置电压Vb2；第三电阻R3的上端与第二电阻R2的下端相连，产生第三偏置电压Vb3；第四电阻R4的上端与第三电阻R3的下端、第六电阻R6的下端相连，产生第四偏置电压Vb4，同时第四电阻R4下端接地；四堆叠晶体管包括第一晶体管M1、第二晶体管M2、第三晶体管M3和第四晶体管M4；外部栅极电容包括第一电容C1、第二电容C2、第三电容C3；偏置电阻包括第十电阻Rb1、第十一电阻Rb2、第十二电阻Rb3、第十三电阻Rb4；射频扼流电感为第一电感RFC；第一晶体管M1的栅极连接信号输入端RFin，同时第一晶体管M1的栅极通过第十电阻Rb1连接第一偏置电压Vb1，第一晶体管M1的源极接地，第一晶体管M1的漏极连接第二晶体管M2的源极；第二晶体管M2的栅极通过第一电容C1连接到地，同时第二晶体管M2的栅极通过第十一电阻Rb2连接第二偏置电压Vb2，第二晶体管M2的漏极连接第三晶体管M3的源极；第三晶体管M3的栅极通过第二电容C2连接到地，同时第三晶体管M3的栅极通过第十二电阻Rb3连接第三偏置电压Vb3，第三晶体管M3的漏极连接第四晶体管M4的源极；第四晶体管M4的栅极通过第三电容C3连接到地，同时第四晶体管M4的栅极通过第十三电阻Rb4连接第四偏置电压Vb4，第四晶体管M4的漏极连接信号输出端Rfout，并经由第一电感RFC连接至电源；第十电阻Rb1、第十一电阻Rb2、第十二电阻Rb3、第十三电阻Rb4分别与抗辐照自适应偏置电路的偏置产生电路连接。

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