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申请/专利权人：索尼半导体解决方案公司
摘要：本技术涉及能够抑制暗电流特性的劣化的固态成像装置和电子设备。本发明设有：光电转换部，其执行光电转换；沟槽，其在深度方向上贯通半导体基板，并且形成在各自形成于彼此相邻的像素中的所述光电转换部之间；和作为所述沟槽的侧壁的一部分的PN结区域，所述PN结区域包括P型区域和N型区域。所述P型区域具有突出到所述N型区域的下侧的区域。本发明还设有：具有pn结的无机光电转换部和具有有机光电转换膜的有机光电转换部，所述无机光电转换部和有机光电转换部在同一像素内从受光面侧沿深度方向层叠；和作为所述无机光电转换部的侧壁的一部分的PN结区域，所述PN结区域包括P型区域和N型区域。此外，本发明还设有：光电转换部，其执行光电转换；沟槽，其在未贯通半导体基板的情况下挖入到所述半导体基板中；作为所述沟槽的侧壁的一部分的PN结区域，所述PN结区域包括第一P型区域和N型区域；和在所述光电转换部的受光面侧的第二P型区域。例如，本技术可以适用于背面照射型CMOS图像传感器。
主权项：1.一种固态成像装置，包括：具有pn结的无机光电转换部和具有有机光电转换膜的有机光电转换部，所述无机光电转换部和所述有机光电转换部在同一像素内从受光面侧沿深度方向层叠；和形成在所述无机光电转换部的侧壁上的PN结区域，所述PN结区域包括P型区域和N型区域，其中，所述固态成像装置包括：第一颜色有机光电转换部；第二颜色无机光电转换部；和第三颜色无机光电转换部，所述第一颜色有机光电转换部、所述第二颜色无机光电转换部和所述第三颜色无机光电转换部沿垂直方向层叠，其中，所述第二颜色无机光电转换部和所述第三颜色无机光电转换部中的每个都包括所述PN结区域，并且其中，在所述第二颜色无机光电转换部中形成的所述P型区域和在所述第三颜色无机光电转换部中形成的所述P型区域连续地形成。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 索尼半导体解决方案公司 固态成像装置和电子设备
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