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申请/专利权人：厦门大学
摘要：本实用新型涉及传感器技术领域，具体涉及一种可提高芯片良率的MEMS压阻式压力传感器，包括硅片，所述硅片上设置有电阻、金属引线、欧姆接触区和背腔，所述电阻采用扩散法或离子注入法制造在硅片顶面上，采用阶梯状设置，以110方向排布，横跨整个应力集中区域；所述欧姆接触区与电阻的边缘接触，所述背腔采用深硅刻蚀制备。本实用新型采用阶梯式的电阻设计，扩大了电阻的纵向尺寸，对光刻、刻蚀过程中引入的操作误差得到了较好的补偿，保证了制造过程中的良率。
主权项：1.一种可提高芯片良率的MEMS压阻式压力传感器，包括硅片，所述硅片上设置有电阻、金属引线、欧姆接触区和背腔，其特征在于：所述电阻采用扩散法或离子注入法制造在硅片顶面上，采用阶梯状设置，以110方向排布，横跨整个应力集中区域；所述欧姆接触区与电阻的边缘接触，所述背腔采用深硅刻蚀制备。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 厦门大学 一种可提高芯片良率的MEMS压阻式压力传感器
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