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申请/专利权人：英飞凌科技奥地利有限公司
摘要：提供了用于控制俘获离子的装置。一种用于控制俘获离子的装置包括衬底。金属层设置在衬底上。离子阱的电极设置在金属层上，其中电极被配置成在电极上方的空间中俘获一个或多个离子。电绝缘体设置在金属层和电极之间。电绝缘体包括面向电极的上表面和面向金属层的下表面。电绝缘体的蚀刻速率沿着从上表面指向下表面的方向增加。
主权项：1.一种用于控制俘获离子的装置，包括：衬底；设置在衬底上的金属层；设置在金属层上的离子阱的电极，其中电极被配置成在电极上方的空间中俘获一个或多个离子；以及设置在金属层和电极之间的电绝缘体，其中电绝缘体包括面向电极的上表面和面向金属层的下表面，其中电绝缘体的蚀刻速率沿着从上表面指向下表面的方向增加。
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权利要求：
百度查询： 英飞凌科技奥地利有限公司 用于控制俘获离子的装置
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