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申请/专利权人：株式会社力森诺科
摘要：提供一种即使是能够将侧蚀刻率抑制为低的低温蚀刻法也不容易产生颗粒的蚀刻方法。蚀刻方法包括：蚀刻工序，使具有蚀刻对象物的被蚀刻部件4的温度为0℃以下，使含有蚀刻化合物的蚀刻气体与被蚀刻部件4接触，来对蚀刻对象物进行蚀刻，所述蚀刻对象物含有硅，所述蚀刻化合物是在分子内具有氟原子、氢原子以及氧原子中的至少一种原子的化合物。蚀刻气体含有或者不含有具有至少一种金属的金属杂质，在含有金属杂质的情况下，所含有的全部种类的金属的浓度的总和为4000质量ppb以下。
主权项：1.一种蚀刻方法，包括：蚀刻工序，使具有蚀刻对象物的被蚀刻部件的温度为0℃以下，使含有蚀刻化合物的蚀刻气体与所述被蚀刻部件接触，来对所述蚀刻对象物进行蚀刻，所述蚀刻对象物含有硅，所述蚀刻化合物是在分子内具有氟原子、氢原子以及氧原子中的至少一种原子的化合物，所述蚀刻气体含有或者不含有具有至少一种金属的金属杂质，在含有所述金属杂质的情况下，所含有的全部种类的所述金属的浓度的总和为4000质量ppb以下。
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