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申请/专利权人：同济大学
摘要：本发明涉及一种通过改变畸变程度调节Mott‑Hubbard体系MA2CuX4非线性光学性能的方法，先通过溶剂热法合成毫米级别的晶体MA2CuX4，再通过机械剥离的方法制备成薄膜材料，其中，MA2CuX4中的X为卤素，通过改变溶剂热法合成过程中所用反应溶剂的种类与比例，调节晶体MA2CuX4中的卤素阴离子的组分，从而改变晶体MA2CuX4的畸变程度，进而增强非线性光学性能。本发明将MA2CuX4确立为一类新的、有前景的非线性光学材料，为高性能非线性吸收材料的结构设计和探索提供了新的见解。
主权项：1.一种通过改变畸变程度调节Mott-Hubbard体系MA2CuX4非线性光学性能的方法，其特征在于，先通过溶剂热法合成毫米级别的晶体MA2CuX4，再通过机械剥离的方法制备成薄膜材料，其中，MA2CuX4中的X为卤素，通过改变溶剂热法合成过程中所用反应溶剂的种类与比例，调节晶体MA2CuX4中的卤素阴离子的组分，从而改变MA2CuX4晶体的畸变程度，进而调节MA2CuX4晶体的非线性光学性能。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 同济大学 通过改变畸变程度调节Mott-Hubbard体系(MA)2CuX4非线性光学性能的方法
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