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申请/专利权人：北京大学
摘要：本发明公开了一种相变温度可调的超晶格Mott相变器件，包括单晶氧化铝基底及其上由多层单晶二氧化钒薄膜和单晶二氧化铌薄膜交替层叠构成的超晶格薄膜，器件电极位于超晶格薄膜上，两个电极之间为超晶格平面沟道区。通过PLD法在氧化铝基底上交替生长二氧化钒和二氧化铌单晶薄膜获得的超晶格薄膜不仅能够有效融合两种材料的相变特性，所引入的多个存在应力的晶体界面也会影响材料的相变温度，可以将Mott材料的相变温度调节到与集成电路芯片工作环境相匹配的范围。相较于离子掺杂调节相变温度的方式，本发明能够提供更大的相变温度调节范围，大幅度降低Mott器件的能量消耗，确保正常稳定的工作效果，对于神经形态器件的发展和广泛应用具有重要意义。
主权项：1.一种相变温度可调的超晶格Mott相变器件，其特征在于，包括单晶氧化铝基底，以及在单晶氧化铝基底上由多层单晶二氧化钒薄膜和单晶二氧化铌薄膜交替层叠构成的超晶格薄膜，每层单晶二氧化钒薄膜或单晶二氧化铌薄膜的厚度为1~4nm；器件电极位于超晶格薄膜上，两个电极之间为超晶格平面沟道区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京大学 一种相变温度可调的超晶格Mott相变器件
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