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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明公开了一种无亚阈值摆幅的阻变场效应晶体管及其制备方法。本发明将易失性阻变开关集成至晶体管的漏端，设计易失性阻变开关与沟道的电阻匹配关系，使得晶体管以近零摆幅的切换斜率从关态直接进入线性区饱和区，亚阈值电流被抑制，开启电压增大至接近于工作电压，打破驱动系数的限制，实现无亚阈值切换行为，并具有大的开关比和超低关态电流。本发明公开的集成结构在满足电阻匹配的设计要求下，适配于多种沟道，实现小电压无亚阈值工作，且与CMOS工艺兼容，适用于大规模阵列和电路的设计及制备。
主权项：1.一种无亚阈值摆幅的阻变场效应晶体管，由半导体衬底、源漏区域、栅介质层和电极层构成场效应晶体管结构，其特征在于，在漏区上引入阻变层，在阻变层上设置活性金属材料，构建易失性阻变开关，将易失性阻变开关集成至漏区。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种无亚阈值摆幅的阻变场效应晶体管及其制备方法
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