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申请/专利权人：三星电子株式会社
摘要：公开了半导体装置和电子系统。半导体装置可包括具有第一区和第二区的衬底、包括电极图案和电介质图案的堆叠结构、竖直地穿透第一区上的堆叠结构的沟道、覆盖堆叠结构的平坦化的电介质层、以及平坦化的电介质层上的布线图案。电介质图案包括第一区上的第一电介质图案和第二区上的第二电介质图案。第二电介质图案包括第一子电介质图案和第二子电介质图案。第一子电介质图案的介电常数大于第一电介质图案的介电常数和第二子电介质图案的介电常数。
主权项：1.一种半导体装置，包括：衬底，其包括第一区和从所述第一区起的第一方向上的第二区；堆叠结构，其包括竖直地并且交替地堆叠在所述衬底上的电极图案和电介质图案；多个沟道，其竖直地穿透所述第一区上的所述堆叠结构；平坦化的电介质层，其覆盖所述堆叠结构；以及多个布线图案，其位于所述平坦化的电介质层上，所述电介质图案中的每一个包括：第一电介质图案，其位于所述第一区上；以及第二电介质图案，其位于所述第二区上，所述第二电介质图案中的每一个包括：第一子电介质图案；以及第二子电介质图案，其在第二方向上连接到所述第一子电介质图案，所述第二方向与所述第一方向相交，所述第一子电介质图案的介电常数大于所述第一电介质图案的介电常数和所述第二子电介质图案的介电常数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 三星电子株式会社 半导体装置、包括其的电子系统及其制造方法
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