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申请/专利权人：上海积塔半导体有限公司
摘要：本公开涉及一种晶圆制备方法及晶圆，其中，方法包括：提供衬底，衬底顶面包括定位槽区及沿第一方向背离定位槽区的芯片区；芯片区包括以第二方向为行方向间隔排布且与定位槽区相邻的一行目标裸片区；目标隔离区的沿第一方向的尺寸关联于一裸片区的沿第一方向的尺寸；于衬底上形成第一金属层以及位于目标隔离区内的第一子隔离层；于第一金属层上形成第一通孔层，第一通孔层包括位于目标隔离区内的第二子隔离层；第二子隔离层覆盖第一子隔离层，第一子隔离层、第二子隔离层用于共同构成目标隔离结构。至少能够有效避免电弧缺陷对晶圆中器件或电路造成损伤。
主权项：1.一种晶圆制备方法，其特征在于，包括：提供衬底，其顶面包括定位槽区及沿第一方向背离所述定位槽区的芯片区；所述芯片区包括以第二方向为行方向间隔排布且与所述定位槽区相邻的一行目标裸片区；所述一行目标裸片区与所述定位槽区之间包括目标隔离区；所述第二方向与所述第一方向相交；所述目标隔离区的沿所述第一方向的尺寸关联于一所述裸片区的沿所述第一方向的尺寸；于所述衬底上形成第一金属层以及位于所述目标隔离区内的第一子隔离层；于所述第一金属层上形成第一通孔层，所述第一通孔层包括位于所述目标隔离区内的第二子隔离层；所述第二子隔离层覆盖所述第一子隔离层，所述第一子隔离层、所述第二子隔离层用于共同构成目标隔离结构。
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百度查询： 上海积塔半导体有限公司 晶圆制备方法及晶圆
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