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申请/专利权人：西南大学
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种异质结自整流忆阻器及其制备方法。其中，一种异质结自整流忆阻器，包括依次叠加的第一电极层、具有忆阻特性的异质结层和第二电极层，所述第一电极层、具有忆阻特性的异质结层和第二电极层的势垒能够通过能带工程进行调控。其方法包括以下步骤：取基底、第一电极层材料、具有忆阻特性的异质结层材料和第二电极层材料；在所述基底上依次叠加进行第一电极层材料、具有忆阻特性的异质结层材料和第二电极层材料的溅射镀膜，镀膜后形成异质结自整流忆阻器。本发明的目的是解决现有的忆阻器会产生潜行电流，使其电阻值会发生变化，导致其储存的数据失效的问题。
主权项：1.一种异质结自整流忆阻器，其特征在于，包括依次叠加的第一电极层（1）、具有忆阻特性的异质结层（2）和第二电极层（3），所述第一电极层（1）、具有忆阻特性的异质结层（2）和第二电极层（3）的势垒能够通过能带工程进行调控，所述具有忆阻特性的异质结层（2）包括Fe2O3HfO2异质结层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西南大学 一种异质结自整流忆阻器及其制备方法
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