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申请/专利权人：南京邮电大学
摘要：本发明公开了一种具有超低操作电压的有机忆阻器及其制备方法，该忆阻器为垂直三明治结构，自下而上依次包括基底、底部电极、有机功能层和顶部电极；其中，所述有机功能层是将有机功能层溶液旋涂于底部电极上制备形成的纳米薄膜，所述有机功能层溶液为叶绿素铜钠溶于超纯水形成，所述叶绿素铜钠的结构式如式Ⅰ所示。本发明使用中小型分子‑叶绿素铜钠有机盐，通过控制旋涂工艺参数，解决基于叶绿素铜钠旋涂过程易析晶问题，成功在水溶剂下旋涂制备出与蒸镀方式相媲美的均一光滑薄膜，并制备了基于ITO叶绿素铜钠Ag的垂直三明治结构器件，最终实现超低操作电压，高开关比，高的保持特性，读写擦循环＞6000次。
主权项：1.一种具有超低操作电压的有机忆阻器的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1配制有机功能层溶液：将叶绿素铜钠材料溶于超纯水溶剂中，其浓度为20mgmL，60℃加热使其完全溶解，得到有机功能层溶液；步骤2在基底材料上生成一层底部电极，并依次经过ITO清洗剂、超纯水超声清洗，将洗净的基底先用普通氮气吹干，后放入烘箱120℃烘干处理1h，去除剩余水分；步骤3将经步骤2处理后洁净的基底放置紫外臭氧处理30min；步骤4用移液枪吸取150～200μL步骤1配制好的有机功能层溶液并在经步骤3处理的基底上旋涂制膜，将旋涂好的样品放置在室温的真空烘箱内逐步升温至60℃，退火30min，去除多余溶剂，得到有机功能层；步骤5在步骤4制得的有机功能层上真空蒸镀顶电极，真空度控制在4×10-4Pa～5×10-4Pa；步骤6真空蒸镀结束后，保持该真空状态待顶电极冷却30min至室温，即得到所述具有超低操作电压的有机忆阻器。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 一种具有超低操作电压的有机忆阻器及其制备方法
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