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申请/专利权人：散裂中子源科学中心;中国科学院高能物理研究所
摘要：本发明涉及磁性斯格明子材料研究技术领域，尤指一种具有斯格明子相的磁性材料的制备方法；所述的磁性材料为Co8Zn8Mn4，具体制备方法如下：S1：材料配比封存；S2：封存材料热处理；S3：材料研磨封存；S4：材料二次热处理；S5：获得大块单晶样品；经过多次实验证明，采用本发明所述的材料配比，在各个参数指标的控制下进行样品制备，本发明的生长方法可以稳定地生长出较大块的高质量β‑Mn型Co‑Zn‑Mn单晶材料，该方法采用了先生长前驱物再在此基础上生长大块单晶的方式。
主权项：1.一种具有斯格明子相的磁性材料的制备方法，其特征在于：所述的磁性材料为Co8Zn8Mn4，具体制备方法如下：S1：材料配比封存：将Co块，Zn粒，Mn块按照化学质量比配比好以后在石英管内封好，所述Co块、Zn粒、Mn块的化学质量比为Co:Zn:Mn=8:8:4；S2：封存材料热处理：将石英管放入箱式炉内进行热处理，所述S2中包括以下工艺步骤：首先，在室温附近经过12小时升温至1000℃-1100℃；然后，在1000℃-1100℃保温24小时；接着，在1000℃-1100℃经过75-100小时降温至925℃；最后，在900℃-950℃取出样品，立刻进行水淬；S3：材料研磨封存：将水淬完的样品从石英管中取出，放在玛瑙研钵中研钵成粉末状，再将粉末状的样品放入石英管中封好；S4：材料二次热处理：将S3中的石英管放入布里奇曼炉内进行二次热处理，所述S4中包括以下工艺步骤：首先，室温附近经过12小时升温至1000℃-1100℃；然后，在1000℃-1100℃保温24小时；接着，在1000℃-1100℃经过一周降温至700℃-900℃；最后，在700℃-900℃取出样品，立刻进行水淬；S5：获得大块单晶样品：最后将样品从石英管中取出并将样品敲碎，所得到的样品就是质量较好的单晶块状样品。
全文数据：
权利要求：
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