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申请/专利权人：中国工程物理研究院激光聚变研究中心
摘要：本发明属于光学元件技术领域，具体涉及一种涉氚光学元件干法无损去污除膜方法。本发明首先根据元件表面膜层和基底的折射率等光学特征参数，模拟计算元件透射率反射率与膜层厚度间的函数关系曲线；接着，利用分光光度计光路对光学元件透射率反射率进行在线监测，并依据模拟计算得到的透射率反射率与膜层厚度关系曲线，实时计算监测剩余膜层厚度；采用反应离子束刻蚀的方法对光学元件进行去污和除膜处理，当在线监测显示膜层已被完全去除时，停止反应离子束刻蚀；最后，对元件表面的氚污染含量进行测量确认。本发明提供的方法绿色环保无氚化水产生，不破坏元件基底，可同步实现元件的去污和除膜两个目的。
主权项：1.一种涉氚光学元件干法无损去污除膜方法，所述涉氚光学元件包括基底和设置在所述基底表面的膜层；其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：依据菲涅尔公式理论计算，获得所述涉氚光学元件的光学参数与膜层厚度的函数关系曲线，所述涉氚光学元件为透射式光学元件或反射式光学元件；所述光学参数包括透射率或反射率；步骤S2：采用反应离子束刻蚀的方法对涉氚光学元件进行表面刻蚀处理，所述反应离子束刻蚀的反应离子为氧离子；所述表面刻蚀处理的过程中，原位测量涉氚光学元件的透射率或反射率，所述原位测量为采用分光光度计光路原位在线测量；所述分光光度计光路原位在线测量时，光路的入射角和偏振态与步骤S1中理论计算时采用的光路的入射角和偏振态保持一致；依据步骤S1中所获得的函数关系曲线，对表面刻蚀处理后剩余的膜层的厚度进行原位实时监测，当监测到膜层完全去除时，停止反应离子束刻蚀；步骤S3：测量步骤S2得到的除膜后的光学元件表面的氚污染含量，当氚污染含量小于等于要求含量时，结束去污除膜；当氚污染含量大于要求含量时，采用反应离子束刻蚀的方法对所述步骤S2获得的光学元件进行表面刻蚀处理，所述反应离子束刻蚀的反应离子为氧离子；直至除膜后的光学元件表面的氚污染含量小于等于要求含量，结束去污除膜。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 一种涉氚光学元件干法无损去污除膜方法
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