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申请/专利权人：无锡祥瑞微电子科技有限公司
摘要：本实用新型涉及分离栅MOSFET器件的设计改进，具体为一种超高压低电容分离栅MOSFET器件结构，利用分离栅结构可以解决弥勒电容Crss比较大的问题，实现超高电压的分离栅器件结构；包括第一导电类型衬底，所述第一导电类型衬底上依次设有第一层第一导电类型漂移区和第二层第一导电类型漂移区，第一层第一导电类型漂移区内设有若干由第一导电类型柱与第二导电类型柱间隔排布的超结阵列，第二层第一导电类型漂移区内设有分离栅沟槽结构，所述分离栅沟槽结构包括沟槽；所述沟槽从第二层第一导电类型漂移区的表面延伸至内部且穿过第二层第一导电类型漂移区延伸至第一层第一导电类型漂移区表面且与超结阵列的第二导电类型柱相接。
主权项：1.一种超高压低电容分离栅MOSFET器件结构，包括第一导电类型衬底1，其特征在于，所述第一导电类型衬底1上依次设有第一层第一导电类型漂移区2和第二层第一导电类型漂移区3，第一层第一导电类型漂移区2内设有若干由第一导电类型柱4与第二导电类型柱5间隔排布的超结阵列6，第二层第一导电类型漂移区3内设有分离栅沟槽结构，所述分离栅沟槽结构包括沟槽7；所述沟槽7从第二层第一导电类型漂移区3的表面延伸至内部且穿过第二层第一导电类型漂移区3延伸至第一层第一导电类型漂移区2表面且与超结阵列6的第二导电类型柱5相接，所述沟槽7的底部距第一层第一导电类型漂移区2的表面距离在0.5um-1um之间。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡祥瑞微电子科技有限公司 一种超高压低电容分离栅MOSFET器件结构
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