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申请/专利权人：湖南虹安微电子有限责任公司
摘要：本发明实施例涉及一种屏蔽栅沟槽MOSFET和功率器件，其中所述屏蔽栅沟槽MOSFET包括：衬底、外延层、第一沟槽、第二沟槽、氧化层、源极多晶硅层和栅极多晶硅层；其中，所述衬底的一侧上设置有外延层；所述外延层内形成有所述第一沟槽和所述第二沟槽；所述第二沟槽内设置有所述氧化层和所述栅极多晶硅层，所述栅极多晶硅层设置在所述氧化层上；其中，所述外延层远离所述衬底的一端内分别形成有源区和阱区，所述阱区设置在所述源区靠近所述衬底的一侧；所述第二沟槽穿过所述源区和所述阱区延伸至所述阱区靠近所述衬底的一侧表面上。本实施例通过设置第一沟槽和第二沟槽，以降低器件的导通阻抗，提升器件的效率和性能。
主权项：1.一种屏蔽栅沟槽MOSFET10，其特征在于，包括：衬底100、外延层101、第一沟槽111、第二沟槽112、氧化层120、源极多晶硅层130和栅极多晶硅层140；其中，所述衬底100的一侧上设置有外延层101；所述外延层101内形成有所述第一沟槽111和所述第二沟槽112，所述第一沟槽111与所述第二沟槽112间隔设置，所述第一沟槽111和所述第二沟槽112沿所述外延层101的厚度方向延伸；所述第一沟槽111内设置有所述氧化层120、所述源极多晶硅层130和所述栅极多晶硅层140，其中，所述氧化层120包裹所述源极多晶硅层130，以将所述源极多晶硅层130与所述栅极多晶硅层140和所述外延层101隔离；所述第二沟槽112内设置有所述氧化层120和所述栅极多晶硅层140，所述栅极多晶硅层140设置在所述氧化层120上；其中，所述外延层101远离所述衬底100的一端内分别形成有源区102和阱区103，所述阱区103设置在所述源区102靠近所述衬底100的一侧；所述第一沟槽111穿过所述源区102和所述阱区103所述第二沟槽112穿过所述源区102和所述阱区103，所述第一沟槽111的深度大于所述第二沟槽112的深度。
全文数据：
权利要求：
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