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申请/专利权人：广东电网有限责任公司电力科学研究院;华中科技大学

摘要：本发明属于故障检测技术领域，尤其涉及一种SiCMOSFET栅极开路故障检测方法及系统，包括：S1：提取开通脉冲和关断脉冲；S2：提取实际内部栅极状态信号；S3：检查驱动信号与实际内部栅极状态的不一致性；S4：对信号进行低通滤波；S5：锁存故障信号；S6：生成最终驱动信号。本发明结构简单、成本低，只需要通用运算放大器、二极管、逻辑器件等成本低廉的元器件，无需高性能的微控制器，大大降低了总体成本。本发明设计步骤简单、使用方便、原理巧妙，设计过程简单，无需复杂的电路参数设计过程。本发明检测速度快，由于使用的都是模拟电路器件和逻辑电路器件，无需微控制器等复杂的检测或控制单元，所以检测速度很快。

主权项：1.一种SiCMOSFET栅极开路故障检测方法，其特征在于，SiCMOSFET栅极开路故障检测方法包括：S1：提取开通脉冲和关断脉冲；S2：提取实际内部栅极状态信号；S3：检查驱动信号与实际内部栅极状态的不一致性；S4：对信号进行低通滤波；S5：锁存故障信号；S6：生成最终驱动信号；S1的具体步骤为：首先使用差分放大电路提取外部栅极电阻上的压降Vdrop_GL，然后使用肖特基二极管D1将Vdrop_GL的负半周钳位为零，从而获得开通脉冲VONL1；同理，使用反向差分放大电路和二极管D2得到关断脉冲VOFFL1，最后，通过数字隔离器将VONL1和VOFFL1隔离至信号侧，得到VONL2和VOFFL2；S2中，VONL2和VOFFL2分别连接RS锁存器RS1的高电平有效置位输入端S和高电平有效复位输入端R；在无故障的情况下，RS1的输出SAIGS在器件开通时置位，并在器件关断时复位；发生故障后，栅极电流路径被切断，即使产生下一个关断信号，也不会形成栅极放电电流，实际内部栅极电压VgsL_int将保持高电平不变；VOFFL2脉冲不会产生，SAIGS无法复位并保持高电平；因此，SAIGS可被视为指示实际内部栅极状态的信号。

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