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申请/专利权人：苏州德信芯片科技有限公司
摘要：本发明涉及一种复合栅结构MOSFET器件及其制备方法。器件包括：N+衬底层：N‑外延层；P型body区，位于N‑外延层背向N+衬底层一侧，并嵌入N‑外延层；P型body区之间的N‑外延层为沟道区；有源掺杂区，位于P型body区背向N+衬底层一侧，并嵌入P型body区内；N‑外延层包围P型body区，P型body区包围有源掺杂区；复合栅结构，位于N‑外延层背向N+衬底层一侧表面，至少覆盖沟道区；复合栅结构包括二氧化硅栅和三氧化二铝栅三氧化二铝栅覆盖二氧化硅栅背向N‑外延层一侧的表面。正面电极；背面电极。本发明提供的复合栅结构MOSFET器件能在MOSFET器件的栅厚度较低时提高器件的栅耐压能力，使得复合栅结构不易被击穿，提高器件的可靠性。
主权项：1.一种复合栅结构MOSFET器件，其特征在于，包括：N+衬底层；N-外延层，位于所述N+衬底层一侧的表面；P型body区，位于所述N-外延层背向所述N+衬底层一侧，并嵌入所述N-外延层；所述P型body区为P+和P-的组合掺杂区；所述P型body区之间的N-外延层为沟道区；有源掺杂区，位于所述P型body区背向所述N+衬底层一侧，并嵌入所述P型body区内；所述N-外延层包围所述P型body区，所述P型body区包围所述有源掺杂区；复合栅结构，位于所述N-外延层背向所述N+衬底层一侧表面，至少覆盖所述沟道区；所述复合栅结构包括二氧化硅栅和三氧化二铝栅；正面电极，位于所述复合栅结构背向所述N-外延层一侧；背面电极，位于所述N+衬底层背向所述N-外延层一侧的表面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州德信芯片科技有限公司 一种复合栅结构MOSFET器件及其制备方法
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