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申请/专利权人：华虹半导体(无锡)有限公司

摘要：本申请涉及半导体集成电路领域，具体涉及HCI优化的LDMOS器件。台阶氧化层形成于半导体基层的上表面上；栅极结构的栅氧化层形成于台阶氧化层在横向上的一侧，栅多晶硅层跨接在台阶氧化层部分上表面上；漏端场板结构的漏端场板氧化层位于台阶氧化层在横向上的另一侧，漏端场板多晶硅层跨接在台阶氧化层部分上表面上；金属硅化物阻挡层形成于栅极结构与漏端场板结构之间的台阶氧化层上表面上；台阶氧化层、漏端场板结构和栅极结构靠近台阶氧化层的部分位于N型漂移区的上表面上，漏极掺杂区位于N型漂移区中；P型体区，源极掺杂区位于P型体区中，所栅极结构远离台阶氧化层的部分位于P型体区的上表面上，可以解决漏端热载流子效应的问题。

主权项：1.一种HCI优化的LDMOS器件，其特征在于，所述HCI优化的LDMOS器件包括：半导体基层；台阶氧化层，所述台阶氧化层形成于所述半导体基层的上表面上栅极结构，所述栅极结构的栅氧化层形成于所述台阶氧化层在横向上的一侧，所述栅氧化层上形成有栅多晶硅层，所述栅多晶硅层跨接在所述台阶氧化层靠近所述栅氧化层的部分上表面上；漏端场板结构，所述漏端场板结构的漏端场板氧化层位于所述台阶氧化层在横向上的另一侧，所述漏端场板氧化层上形成有漏端场板多晶硅层，所述漏端场板多晶硅层跨接在所述台阶氧化层靠近所述漏端场板氧化层的部分上表面上；金属硅化物阻挡层，所述金属硅化物阻挡层形成于所述栅极结构与所述漏端场板结构之间的台阶氧化层上表面上，且所述金属硅化物阻挡层的两端分别延伸跨接在所述栅极结构的上表面上和所述漏端场板结构的上表面上；漏极掺杂区和源极掺杂区，所述漏极掺杂区位于所述漏端场板结构在横向上远离所述台阶氧化层一侧的半导体基层中，所述源极掺杂区位于所述栅极结构在横向上远离所述台阶氧化层一侧的半导体基层中；N型漂移区，所述N型漂移区形成于所述半导体基层中，在纵向上所述N型漂移区从所述半导体基层的上表面向下延伸，所述台阶氧化层、漏端场板结构和所述栅极结构靠近所述台阶氧化层的部分位于所述N型漂移区的上表面上，所述漏极掺杂区位于所述N型漂移区中；P型体区，所述源极掺杂区位于所述P型体区中，所栅极结构远离所述台阶氧化层的部分位于所述P型体区的上表面上。

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