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摘要：一种大规模阵列下LDMOS功率芯片封装结构，大规模阵列下LDMOS功率芯片封装结构包括多个子区域，子区域呈阵列形式排列，每个子区域内部均包含多个并联的LDMOS管，同一子区域内部的LDMOS管的栅漏源极分别连接至同一栅漏源极PAD，同一子区域内部的LDMOS管的源极沿第一方向排列为多行，同一子区域内部的LDMOS管的漏极沿第一方向排列为多行，所有源极PAD均连接至RDL1层中的源极条带，所有漏极PAD均连接至RDL1层中的漏极条带，所有栅极PAD均连接至与IC驱动电路的控制IC信号引脚，所有源极条带均连接至RDL2层中源极PAD，所有漏极条带均连接至RDL2层中漏极PAD，源极PAD通过CuClip封装工艺封装后引出作为功率芯片的输入管脚，漏极PAD通过CuClip封装工艺封装后引出作为功率芯片的输出管脚。
主权项：1.一种大规模阵列下LDMOS功率芯片封装结构，其特征在于，大规模阵列下LDMOS功率芯片封装结构将LDMOS管与IC驱动电路集成在同一个功率芯片上，功率芯片的平面图呈矩形，IC驱动电路位于矩形的其中一角处，大规模阵列下LDMOS功率芯片封装结构包括多个子区域，多个子区域呈阵列形式排列，每个子区域内部均包含多个并联的LDMOS管，位于同一子区域内部的LDMOS管的栅极分别连接至同一栅极PAD，位于同一子区域内部的LDMOS管的源极分别连接至同一源极PAD，位于同一子区域内部的LDMOS管的漏极分别连接至同一漏极PAD，同一子区域内部的LDMOS管的源极沿第一方向排列为多行，同一子区域内部的LDMOS管的漏极沿第一方向排列为多行，所有源极PAD均连接至RDL1层中的源极条带，所有漏极PAD均连接至RDL1层中的漏极条带，所有栅极PAD均连接至与IC驱动电路的控制IC信号引脚，所有源极条带均连接至RDL2层中源极PAD，所有漏极条带均连接至RDL2层中漏极PAD，源极PAD通过CuClip封装工艺封装后引出作为功率芯片的输入管脚，漏极PAD通过CuClip封装工艺封装后引出作为功率芯片的输出管脚。
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