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摘要：本发明公开一种高镇流电阻的LDMOS器件、可控硅器件及电子设备，其中，高镇流电阻的LDMOS器件包括：半导体衬底；P型体区，形成于半导体衬底内；N漂移区，N漂移区位于P型体区的内部；源极N注入区及源极P注入区，位于P型体区的内部；源极N注入区和源极P注入区相连；漏极N注入区，漏极N注入区位于N漂移区的内部；漏极N注入区与N漂移区的相邻处的表面上开设有第一接触孔；源极N注入区与源极P注入区相邻处在背离P型体区的一侧面上开设有第二接触孔；第一接触孔和第二接触孔用于接入电能，并与P型体区和N漂移区形成电流通道。本发明技术方案解决了LDMOS器件的ESD能力较差的问题。
主权项：1.一种高镇流电阻的LDMOS器件，其特征在于，所述高镇流电阻的LDMOS器件包括：半导体衬底；P型体区，形成于所述半导体衬底内；N漂移区，所述N漂移区位于所述P型体区的内部；源极N注入区及源极P注入区，位于所述P型体区的内部；所述源极N注入区和所述源极P注入区相连；漏极N注入区，所述漏极N注入区位于所述N漂移区的内部；所述漏极N注入区与所述N漂移区的相邻处的表面上开设有第一接触孔；所述源极N注入区与所述源极P注入区相邻处在背离所述P型体区的一侧面上开设有第二接触孔；所述第一接触孔和所述第二接触孔用于接入电能，并与所述P型体区和所述N漂移区形成电流通道。
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百度查询： 重庆安派芯成微电子有限公司 高镇流电阻的LDMOS器件、可控硅器件及电子设备
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