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申请/专利权人：斯兰纳亚洲有限公司
摘要：一种半导体设备包括形成在衬底上方的有源区。所述有源区包括FET和二极管。所述FET包括一个或多个FET指。每个FET指包括FET源极区、FET漏极区和横向FET栅极电极。所述二极管包括一个或多个二极管指。所述二极管指中的每一个包括电耦合到所述FET源极区的二极管阳极区、电耦合到所述FET漏极区的二极管阴极区以及电耦合到所述二极管阳极区并与所述横向FET栅极电极电隔离的横向二极管栅极电极。所述FET指为所述半导体设备的有源指，并且所述二极管指为所述半导体设备的虚设指。所述二极管被配置为钳位跨所述FET漏极区和所述FET源极区产生的最大电压。
主权项：1.一种半导体设备，其包括：衬底；有源区，所述有源区包括形成在所述衬底上方的FET和二极管；所述FET的一个或多个FET指，所述一个或多个FET指形成在所述有源区中并且具有FET源极区、FET漏极区和横向FET栅极电极；以及所述二极管的一个或多个二极管指，所述一个或多个二极管指形成在所述有源区中并且具有电耦合到所述FET源极区的二极管阳极区、电耦合到所述FET漏极区的二极管阴极区和电耦合到所述二极管阳极区并与所述横向FET栅极电极电隔离的横向二极管栅极电极；其中：所述FET的所述一个或多个FET指为所述半导体设备的有源指，并且所述二极管的所述一个或多个二极管指为所述半导体设备的虚设指；所述二极管被配置为钳位跨所述FET漏极区和所述FET源极区产生的最大电压；所述横向FET栅极电极与所述FET漏极区之间的横向距离大于所述横向二极管栅极电极与所述二极管阴极区之间的横向距离；并且所述二极管的目标击穿电压基于所述横向二极管栅极电极与所述二极管阴极区之间的所述横向距离来配置。
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