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申请/专利权人：浙江大学
摘要：本发明涉及一种LDMOS器件及其制备方法，该方法包括：对硅片表面进行预清理；利用光刻和离子注入工艺在经过预清理的硅片上形成漂移区，并采用ISSG工艺进行氧化处理，生成氧化物，而后沉积多晶硅；光刻和刻蚀多晶硅，并控制刻蚀过程，在SAB区域表面留下预设厚度的氧化物；光刻并刻蚀掉源漏区和体区的表面氧化物；基于光刻和离子注入工艺形成体区和源漏区；在SAB区域已有的ISSG工艺氧化生成的氧化物基础上，用PECVD工艺沉积后续氧化物和氮化物；光刻和刻蚀其他区域SAB介质层，形成金属接触孔场板结构，并置于低温高压氢气环境中退火。其有益效果是，通过ISSG工艺生成第一层氧化物以降低氧化物界面态，而PECVD沉积第二层氧化物，可以减少工艺时间。
主权项：1.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，包括：对硅片表面进行预清理；利用光刻和离子注入工艺在经过预清理的硅片上形成漂移区，并采用ISSG工艺进行氧化处理，生成氧化物，而后沉积多晶硅；光刻和刻蚀多晶硅，并控制刻蚀过程，在SAB区域表面留下预设厚度的氧化物；光刻并刻蚀掉源漏区和体区的表面氧化物；基于光刻和离子注入工艺形成体区和源漏区；在SAB区域已有的ISSG工艺氧化生成的氧化物基础上，用PECVD工艺沉积后续氧化物和氮化物；光刻和刻蚀其他区域SAB介质层，形成金属接触孔场板结构，并置于低温高压氢气环境中退火。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 浙江大学 一种LDMOS器件及其制备方法
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