买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

申请/专利权人：电子科技大学

摘要：本发明公开了一种小尺寸总剂量辐射加固的LDMOS器件及制备方法，属于半导体器件技术领域。本发明所述LDMOS器件包括P型硅衬底、N型埋层、P型外延层、N型隔离区、P型体区、场氧隔离区域、N型漂移区、小尺寸硅局部氧化场板区、P型沟道区、多晶栅区域、P型重掺杂区域和N型重掺杂区域。本发明所述LDMOS器件及制备方法与BCD工艺兼容，通过设置小尺寸硅局部氧化场板区，降低栅场板末端与漏极高电压的耦合，实现高集成、小尺寸器件的耐压特性；小尺寸硅局部氧化场板区采用夹层结构，利用氮化硅中大量的电子陷阱中心，复合总剂量辐射效应产生的正电荷，有效解决总剂量辐射效应造成的器件失效问题。

主权项：1.一种小尺寸总剂量辐射加固的LDMOS器件，其特征在于，包括P型硅衬底1、N型埋层2、P型外延层3、N型隔离区4、P型体区5、场氧隔离区域6、N型漂移区7、小尺寸硅局部氧化场板区8、P型沟道区9、多晶栅区域10、P型重掺杂区域11和N型重掺杂区域12；所述N型埋层2位于P型硅衬底1的上方且紧密贴合；所述N型隔离区4、P型体区5和P型外延层3位于N型埋层2的上方，分别与N型埋层2相邻接；所述N型隔离区4、P型体区5和P型外延层3由左至右依次相邻接；所述N型漂移区7和P型沟道区9位于P型外延层3的上方，均与P型外延层3相邻接；N型漂移区7的左右两端分别与P型体区5和P型沟道区9相邻接；所述N型隔离区4、P型体区5、N型漂移区7和P型沟道区9的顶部持平；所述N型隔离区4与P型体区5的邻接处顶部区域、所述P型体区5与N型漂移区7的邻接处顶部区域分别设置有场氧隔离区域6；所述场氧隔离区域6的底部均未抵达至N型隔离区4、P型体区5或N型漂移区7的底部位置；所述小尺寸硅局部氧化场板区8采用氧化层-氮化硅-氧化层结构，设置于N型漂移区7的上方，且与N型漂移区7相邻接；所述多晶栅区域10邻接于小尺寸硅局部氧化场板区8、N型漂移区7和P型沟道区9的上方，与小尺寸硅局部氧化场板区8、N型漂移区7和P型沟道区9的部分上表面交叠；所述P型体区5的顶部区域和P型沟道区9的右侧顶部区域设置有P型重掺杂区域11；所述N型隔离区4的顶部区域、N型漂移区7中与场氧隔离区域6邻接的顶部区域、P型沟道区9中与P型重掺杂区域11邻接的顶部区域设置有N型重掺杂区域12。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 电子科技大学 一种小尺寸总剂量辐射加固的LDMOS器件及制备方法