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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种LDMOS器件及其制备方法、芯片，通过在第一晶圆的第一面制备LDMOS结构；在第二晶圆的第一面的第一预设区域制备绝缘介质层；对绝缘介质层进行刻蚀形成间隔设置的绝缘介质单元，相邻的绝缘介质单元之间设有间隙。采用晶圆键合工艺将第一晶圆的第二面与第二晶圆的第一面进行接合，第一预设区域与LDMOS结构的区域相对，如此可以有效的提升器件的击穿电压，而不影响器件的导通电阻。
主权项：1.一种LDMOS器件的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：在第一晶圆的第一面制备LDMOS结构；在第二晶圆的第一面的第一预设区域制备绝缘介质层；对所述绝缘介质层进行刻蚀，形成间隔设置的绝缘介质单元；其中，相邻的所述绝缘介质单元之间设有间隙；采用晶圆键合工艺将所述第一晶圆的第二面与所述第二晶圆的第一面进行接合；其中，所述第一预设区域与所述LDMOS结构的区域相对。
全文数据：
权利要求：
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