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申请/专利权人：南京芯干线科技有限公司
摘要：本发明涉及一种微沟槽双栅mosfet器件及制备方法，包括衬底；外延层，其设置于衬底上并对称开设有两个沟槽，两沟槽之间设置有单组的体区和源区；隔离氧化层，其设置于沟槽中并将沟槽分隔为第一容置槽和第二容置槽；场氧化层，其覆盖于第一容置槽的内壁上；栅氧化层，其覆盖于第二容置槽的侧壁上；多晶硅，其包括分别填充于第一容置槽和第二容置槽中的第一栅极多晶硅和第二栅极多晶硅；密封氧化层，其设置于第二栅极多晶硅上。本发明在外延层的双沟槽之间设置单组的体区和源区，MOS管中pitch的宽度变小，可以提升芯片的集成度，减小器件的尺寸；并且可以减小MOS管的栅极电流和导通电阻，提高器件的性能；同时还可以降低互联电阻，提升信号传输速度。
主权项：1.一种微沟槽双栅mosfet器件，其特征在于，包括，衬底；外延层，所述外延层设置于所述衬底上，所述外延层远离所述衬底的一面上开设有两个对称的沟槽，两所述沟槽之间设置有单组的体区和源区；隔离氧化层，所述隔离氧化层设置于沟槽中，所述隔离氧化层将所述沟槽分隔为在其深度方向上间隔排布的第一容置槽和第二容置槽，且所述第一容置槽位于靠近所述衬底的一侧；场氧化层，所述场氧化层覆盖于所述第一容置槽的内壁上；栅氧化层，所述栅氧化层覆盖于所述第二容置槽的侧壁上；多晶硅，所述多晶硅包括分别填充于所述第一容置槽和第二容置槽中的第一栅极多晶硅和第二栅极多晶硅；密封氧化层，所述密封氧化层设置于所述第二栅极多晶硅远离隔离氧化层的一侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京芯干线科技有限公司 一种微沟槽双栅mosfet器件及制备方法
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