龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供了一种LDMOS器件及形成方法，包括：依次堆叠的底层硅、埋氧层和衬底；位于衬底内的环状的第一浅沟槽隔离结构，第一浅沟槽隔离结构与埋氧层接触；位于衬底内的环状的第二浅沟槽隔离结构，第二浅沟槽隔离结构与埋氧层具有间距，第二浅沟槽隔离结构位于第一浅沟槽隔离结构的环内，第二浅沟槽隔离结构与第一浅沟槽隔离结构具有间距；位于衬底内的环状的体区，体区与埋氧层具有间距，体区位于第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构之间；位于衬底表面的栅极，栅极的一端接第一浅沟槽隔离结构，另一端接第二浅沟槽隔离结构；位于衬底内的源区和漏区，源区和漏区位于第二浅沟槽隔离结构的环内，源区和漏区分别位于栅极的两侧。
主权项：1.一种LDMOS器件，其特征在于，包括：SOI基底，所述SOI基底包括依次堆叠的底层硅、埋氧层和衬底；位于所述衬底内的第一浅沟槽隔离结构，所述第一浅沟槽隔离结构与所述埋氧层接触，所述第一浅沟槽隔离结构的横截面呈环状；位于所述衬底内的第二浅沟槽隔离结构，所述第二浅沟槽隔离结构与所述埋氧层具有间距，所述第二浅沟槽隔离结构的横截面呈环状，所述第二浅沟槽隔离结构位于所述第一浅沟槽隔离结构的环内，所述第二浅沟槽隔离结构与所述第一浅沟槽隔离结构具有间距；位于所述衬底内的体区，所述体区与所述埋氧层具有间距，所述体区的横截面呈环状，所述体区位于所述第一浅沟槽隔离结构和第二浅沟槽隔离结构之间；位于所述衬底表面的栅极，所述栅极的一端接所述第一浅沟槽隔离结构，另一端接所述第二浅沟槽隔离结构；以及位于所述衬底内的源区和漏区，所述源区和漏区位于所述第二浅沟槽隔离结构的环内，所述源区和漏区分别位于所述栅极的两侧。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 LDMOS器件及形成方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号