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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：一种半导体元件及其形成方法。方法包含：在基板上形成二维材料层，其中二维材料层包含过渡金属原子和硫族原子；在二维材料层上方形成栅极结构；对二维材料层提供化学分子，使得化学分子的原子些硫族原子的部分反应，以削弱硫族原子的部分和过渡金属原子之间的共价键；以及在二维材料层上方形成源极漏极接触，其中源极漏极接触的接触金属原子和二维材料层的过渡金属原子形成金属键。
主权项：1.一种半导体元件的形成方法，其特征在于，包含：在一基板上形成一二维材料层，其中该二维材料层包含多个过渡金属原子和多个硫族原子；在该二维材料层上方形成一栅极结构；对该二维材料层提供多个化学分子，使得所述多个化学分子的多个原子和所述多个硫族原子的多个部分反应，以削弱所述多个硫族原子的所述多个部分和所述多个过渡金属原子之间的共价键；以及在该二维材料层上方形成多个源极漏极接触，其中所述多个源极漏极接触的多个接触金属原子和该二维材料层的所述多个过渡金属原子形成金属键。
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百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 半导体元件及其形成方法
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