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一种ESD加固的LDMOS器件及其制备方法 

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摘要:本发明属于电子元器件领域,公开了一种ESD加固的LDMOS器件及其制备方法,包括衬底和设置在衬底上表面的外延层,还包括体区、漏接触区、源接触区、衬底接触区、介质区、栅极多晶硅、漏极金属、源极金属和衬底极金属,其中,体区和漏接触区均位于外延层内部上方;源接触区和衬底接触区均位于体区内部上方;介质区位于外延层的上方;漏极金属、源极金属和衬底极金属均位于介质区的上方,且漏极金属穿过介质区延伸至漏接触区内,源极金属穿过介质区延伸至源接触区内,衬底极金属穿过介质区与衬底接触区上表面相接触;栅极多晶硅位于介质区的上方。本发明可以消除LDMOS的电流集中区,从而提高高压LDMOS及同类横向器件的抗ESD能力。

主权项:1.一种ESD加固的LDMOS器件,包括衬底(01)和设置在衬底(01)上表面的外延层(10),其特征在于,还包括体区(20)、漏接触区(30)、源接触区(31)、衬底接触区(32)、介质区(50)、栅极多晶硅(60)、漏极金属(40)、源极金属(41)和衬底极金属(42),其中,所述体区(20)和漏接触区(30)均位于外延层(10)内部上方;所述源接触区(31)和衬底接触区(32)均位于体区(20)内部上方;所述介质区(50)位于所述外延层(10)的上方;所述漏极金属(40)、源极金属(41)和衬底极金属(42)均位于所述介质区(50)的上方,且所述漏极金属(40)穿过介质区(50)延伸至漏接触区(30)内,所述源极金属(41)穿过介质区(50)延伸至源接触区(31)内,所述衬底极金属(42)穿过介质区(50)与衬底接触区(32)上表面相接触;所述栅极多晶硅(60)位于所述介质区(50)的上方,且所述栅极多晶硅(60)的覆盖区域位于源接触区(31)和漏接触区(30)之间。

全文数据:

权利要求:

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