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申请/专利权人：默克专利有限公司

摘要：本发明涉及一种用于存储器、传感器、场效应晶体管或约瑟夫森Josephson结中的电子切换器件，尤其涉及隧道结，其包括有机分子层。更具体而言，本发明包括在随机存取非易失性忆阻存储器RRAM领域中。本发明的另一方面涉及用于该分子层中的式I化合物，其中存在的基团具有权利要求1中所定义的含义。本发明进一步涉及所述分子层的用途以及生产和操作该电子切换元件和基于其的组件的方法。

主权项：1.式I化合物： 其中T选自由下列基团构成的基团：a各自具有1-20个C原子的直链或支化烷基或烷氧基，其中在这些基团中的一个或多个CH2基团可以各自相互独立地被-C≡C-、-CH＝CH-、-O-、-S-、-CF2O-、-OCF2-、-CO-O-、-O-CO-、-SiR0R00-、-NH-、-NR0-或-SO2-以使得O原子不直接相互连接的方式替代，并且其中一个或多个H原子可以被卤素、CN、SCN或SF5替代；b3-10员饱和或部分不饱和脂族环，其中至少一个-CH2-基团被-O-、-S-、-SO-、-SO2-、-NRx-或-NORx-替代，或者其中至少一个-CH＝基团被-N＝替代，c金刚烷类基团；R0、R00相同或不同地表示具有1-15个C原子的烷基或烷氧基，其中一个或多个H原子此外可以被卤素替代，Rx表示具有1-6个C原子的直链或支化烷基，ZT、Z1、Z2和Z4在每次出现时相同或不同地表示单键、-CF2O-、-OCF2-、-CF2S-、-SCF2-、-CH2O-、-OCH2-、-COO-、-OCO-、-COS-、-SCO-、-CH2n1-、-CF2n2-、-CF2CH2-、-CH2CF2-、-CH＝CH-、-CF＝CF-、-CF＝CH-、-CH＝CF-、-CH2n3O-、-OCH2n4-、-C≡C-、-O-、-S-、-CH＝N-、-N＝CH-、-N＝N-、-N＝NO-、-NO＝N-或-N＝C-C＝N-，其中n1、n2、n3、n4相同或不同地为1、2、3、4、5、6、7、8、9或10，Z3表示-O-、-S-、-CH2-、-CO-、-CF2-、-CHF-、-CRx2-、-SO-或-SO2-，在每次出现时相同或不同地表示具有4-25个环原子的芳族、杂芳族、脂环族或杂脂族环，其还可以含有缩合环并且可以被X单取代或多取代或者可以被RL单取代或多取代， 表示具有5-25个环原子的芳族或杂芳族环，其还可以含有缩合环并且可以被X单取代或多取代或者可以被RC单取代或多取代， 表示基团 其中这些基团可以在两个方向上取向，L1-L5相同或不同地表示H、F、Cl、Br、I、CN、SF5、CF3、OCF3或OCHF2，优选Cl或F，非常优选F，其中相应基团中存在的基团L1-L5中的至少一个不为H，RL在每次出现时相同或不同地表示H、具有1-6个C原子的烷基、具有2-6个C原子的链烯基或具有1-5个C原子的烷氧基，优选H或具有1-4个C原子的烷基，非常优选H、甲基或乙基，RC在每次出现时相同或不同地表示在每种情况下任选氟代的具有1-12个C原子的直链或支化烷基、烷氧基、烷硫基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基或者各自具有3-12个C原子的环烷基或烷基环烷基，优选甲基、乙基、异丙基、环丙基、环丁基、环戊基、环己基、三氟甲基、甲氧基、三氟甲氧基或三氟甲硫基，X在每次出现时相同或不同地表示F、Cl、Br、I、CN、SF5、CF3、OCF3或OCHF2，Sp表示间隔基团或单键，r、s、t和u相同或不同地为0、1或2，其中r+s+t+u＝0、1、2、3或4，X1表示O或S，X2表示-OH、-SH或ORV，RV表示具有1-12个C原子的直链或支化烷基，RI表示H，各自具有1-20个C原子的直链或支化烷基或烷氧基，其中这些基团中的一个或多个CH2基团可以各自相互独立地被-C≡C-、-CH＝CH-、-O-、-S-、-CF2O-、-OCF2-、-CO-O-、-O-CO-、-SiR0R00-、-NH-、-NR0-或-SO2-以使得O原子不直接相互连接的方式替代，并且其中一个或多个H原子可以被卤素、CN、SCN或SF5替代，其中R0、R00相同或不同地表示具有1-15个C原子的烷基或烷氧基，其中一个或多个H原子此外可以被卤素替代，或者基团 其中这些基团和参数如上所定义，以及b为0或1。

全文数据：

权利要求：

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