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申请/专利权人：株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社
摘要：本发明的实施方式涉及半导体装置和半导体模块。实施方式所涉及的半导体装置包括第一～第二半导体层、第一～第三电极、绝缘区域、导电层。第一半导体层包含氮化物半导体。第二半导体层设置于第一半导体层之上，包含氮化物半导体。第一电极设置于第二半导体层之上。第二电极设置于第二半导体层之上，与第一电极排列。第三电极隔着绝缘膜部位于第二半导体层的上方，位于第一电极与第二电极之间。绝缘区域设置于第二半导体层之上，在第一电极与第二电极之间与第一电极相邻。绝缘区域包括第一绝缘部分以及位于第一绝缘部分的上方的第二绝缘部分。导电层设置于第一绝缘部分与第二绝缘部分之间，与第一电极电连接。
主权项：1.一种半导体装置，其特征在于，具备：第一半导体层，包含氮化物半导体；第二半导体层，设置于所述第一半导体层之上，包含氮化物半导体；第一电极，设置于所述第二半导体层之上；第二电极，设置于所述第二半导体层之上，在与从所述第一半导体层朝向所述第二半导体层的第一方向交叉的第二方向上与所述第一电极排列；第三电极，隔着绝缘膜部位于所述第二半导体层的上方，位于所述第一电极与所述第二电极之间；绝缘区域，设置于所述第二半导体层之上，在所述第一电极与所述第二电极之间与所述第一电极相邻，包括第一绝缘部分以及位于所述第一绝缘部分的上方的第二绝缘部分；以及导电层，设置于所述第一绝缘部分与所述第二绝缘部分之间，与所述第一电极电连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 株式会社东芝 东芝电子元件及存储装置株式会社 半导体装置和半导体模块
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