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一种基于双重噪声抵消的有源混频器 

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申请/专利权人:西安邮电大学

摘要:本发明涉及有源混频器,具体涉及一种基于双重噪声抵消的有源混频器,解决了现有混频器噪声系数较大的技术问题。本发明提供的一种基于双重噪声抵消的有源混频器,在吉尔伯特单元的基础上,对跨导级电路进行改进,跨导级电路包括共栅晶体管、共源晶体管和放大晶体管,利用共栅晶体管和共源晶体管共同构建信号路径,实现了有效信号电压反相、噪声信号电压同相,然后再通过放大晶体管的栅源电压相减实现有效信号的叠加和噪声信号的抵消,具有低噪声、高线性度、低功耗的优势,适用于无低噪声放大器的系统。

主权项:1.一种基于双重噪声抵消的有源混频器,其特征在于:包括结构相同且相互连接的正半电路和负半电路;所述正半电路包括第一跨导级电路、第一开关级电路和第一负载级电路;所述第一跨导级电路包括共源晶体管M1、放大晶体管M2、共栅晶体管M3、晶体管M4、反馈电阻R1和负载电阻R5;所述共栅晶体管M3的源端与晶体管M4的漏端、共源晶体管M1的栅端、反馈电阻R1的一端连接,漏端与放大晶体管M2的栅端、负载电阻R5的一端连接;共栅晶体管M3的源端用于连接射频信号VP,共栅晶体管M3的栅端用于连接直流偏置信号VB2;所述负载电阻R5的另一端用于连接电源VDD;所述晶体管M4的源端接地,栅端用于连接直流偏置信号VB1;所述共源晶体管M1的源端接地,漏端与放大晶体管M2的源端、反馈电阻R1的另一端连接;所述放大晶体管M2的漏端与第一开关级电路的射频信号输入端连接;所述负半电路包括第二跨导级电路、第二开关级电路和第二负载级电路;所述第二跨导级电路包括共源晶体管M5、放大晶体管M6、共栅晶体管M7、晶体管M8、反馈电阻R2和负载电阻R6;所述共栅晶体管M7的源端与晶体管M8的漏端、共源晶体管M5的栅端、反馈电阻R2的一端连接,漏端与放大晶体管M6的栅端、负载电阻R6的一端连接;共栅晶体管M7的源端用于连接射频信号VN,共栅晶体管M7的栅端用于连接直流偏置信号VB2;所述负载电阻R6的另一端用于连接电源VDD;所述晶体管M8的源端接地,栅端用于连接直流偏置信号VB1;所述共源晶体管M5的源端接地,漏端与放大晶体管M6的源端、反馈电阻R2的另一端连接;所述放大晶体管M6的漏端与第二开关级电路的射频信号输入端连接;所述第一开关级电路的一个本振信号输入端与第二开关级电路的一个本振信号输入端连接,用于连接本振信号LON,第一开关级电路的另一个本振信号输入端和第二开关级电路的另一个本振信号输入端用于连接本振信号LOP;所述第一开关级电路输出端分别与第一负载级电路的一端、第二负载级电路的一端连接,第二开关级电路的输出端分别与第一负载级电路的一端、第二负载级电路的一端连接;所述第一负载级电路的另一端、第二负载级电路的另一端与电源VDD连接。

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