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申请/专利权人：浙江大学

摘要：本发明公开了一种应用于低截止频率的高线性度gm‑C滤波器，包括自级联晶体管构成的源耦合对、差分输入输出级、电流镜负载、局部负反馈环路、滤波电容、电流偏置。本发明采用自级联晶体管构成的源耦合对和局部负反馈环路技术，通过工作在亚阈值区的晶体管，一方面降低了滤波器的等效跨导值使其更适合处理低截止频率的信号，另一方面又减小了亚阈值区晶体管非理想因素的影响使得滤波器的线性度大幅提升。

主权项：1.一种应用于低截止频率的高线性度gm-C滤波器，其特征在于：包括自级联晶体管构成的源耦合对、差分输入输出级、电流镜负载、局部负反馈环路，滤波电容、电流偏置；所述的自级联晶体管，由两个同类型的PMOS级联形成，Mia和Mib的栅极相连，Mia的漏极与Mib的源极相连，Mia和Mib的宽度一致，长度成比例关系，构成的自级联晶体管称为Msi，Mia的源极作为Msi的源极，Mib的漏极作为Msi的漏极，i=1，2，3，4，5，6，7，8；所述的源耦合对包括Ms1和Ms2，Ms3和Ms4，Ms5和Ms6，Ms7和Ms8，分别构成的四个跨导单元Gm1，Gm2，Gm3，Gm4；在跨导单元Gm1中，Ms1和Ms2的源极连接至第一路电流源，Ms1的栅极作为Gm1的正向输入端，漏极作为Gm1反向输出端，Ms2栅漏短接作为Gm1正向输出端；跨导单元Gm2，Gm3，Gm4的连接方式同理；所述的差分输入级包括自级联晶体管Ms1，Ms4；Ms1的栅极接正向输入信号VINP，Ms4的栅极接反向输入信号VINN；所述的差分输出级包括自级联晶体管Ms6，Ms7；Ms6的栅极接反向输出信号OUTN，Ms7的栅极接正向输出信号OUTP；所述的电流镜负载包括PMOS器件M1至M6，共组成四对电流镜；M1和M4栅漏短接作为节点C，连接至M2，M3，M5，M6的栅极，Ms1和Ms4的漏极连接至节点C，Ms2和Ms3的栅极作为节点A和节点B，M2的漏极连接至节点A，M3的漏极连接至节点B，M5的漏极连接OUTN，M6的漏极连接OUTP；所述的局部负反馈环路包括自级联晶体管Ms5，Ms6，Ms7，Ms8所构成的环路；Ms8的栅极和Ms5的漏极连接至节点A，Ms5的栅极和Ms8的漏极连接至节点B；所述的滤波电容包括PIP电容C1，C2；节点A和节点B连接至电容C1两端，OUTP和OUTN连接至电容C2两端；所述的电流偏置由四路电流源提供，电流大小均为IB；第一路电流偏置连接至Ms1和Ms2的源极，第二路电流偏置连接至Ms3和Ms4的源极，第三路电流偏置连接至Ms5和Ms6的源极，第四路电流偏置连接至Ms7和Ms8的源极。

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